​Вдвое мощнее и на 85% экономнее

Компании IBM и Samsung удалось совершить прорыв в разработке полупроводников, открыв новую концепцию вертикального размещения транзисторов на кристалле.
Новое устройство работает на базе так называемых вертикальных транспортных полевых транзисторов (Vertical Transport Field Effect Transistors, VTFET), при этом транзисторы расположены перпендикулярно друг другу, а ток течет вертикально. Это радикально новый чипсет, отличающийся от других современных моделей, где транзисторы расположены горизонтально на поверхности кремния, а электрический ток течет из стороны в сторону.
В IBM и Samsung надеются "расширить закон Мура", выйдя за пределы порога нанолистов и при этом сделать процессоры более экономными относительно энергопотребления.
IBM и Samsung заявляют, что такая конструкция позволит удвоить производительность и снизить энергопотребление на 85% меньше энергии, по сравнению с чипами на транзисторах FinFET.